Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 71.33kr | 89.16kr |
2 - 2 | 67.76kr | 84.70kr |
3 - 4 | 65.62kr | 82.03kr |
5 - 9 | 64.19kr | 80.24kr |
10 - 19 | 62.77kr | 78.46kr |
20 - 29 | 60.63kr | 75.79kr |
30 - 37 | 58.49kr | 73.11kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 71.33kr | 89.16kr |
2 - 2 | 67.76kr | 84.70kr |
3 - 4 | 65.62kr | 82.03kr |
5 - 9 | 64.19kr | 80.24kr |
10 - 19 | 62.77kr | 78.46kr |
20 - 29 | 60.63kr | 75.79kr |
30 - 37 | 58.49kr | 73.11kr |
N-kanals transistor, 15A, TO-247, TO-247AC, 1200V - IHW15N120R3. N-kanals transistor, 15A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 15A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 1165pF. Kostnad): 40pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: Induktiv matlagning. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 30A. Ic(puls): 45A. Märkning på höljet: H15R1203. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 254W. RoHS: ja. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 300 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.48V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.75V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V. Originalprodukt från tillverkaren Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 15:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.