Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V - HUF75307D3S

N-kanals transistor, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V - HUF75307D3S
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 11.15kr 13.94kr
5 - 9 10.59kr 13.24kr
10 - 24 10.26kr 12.83kr
25 - 49 10.03kr 12.54kr
50 - 99 9.81kr 12.26kr
100 - 108 9.48kr 11.85kr
Kvantitet U.P
1 - 4 11.15kr 13.94kr
5 - 9 10.59kr 13.24kr
10 - 24 10.26kr 12.83kr
25 - 49 10.03kr 12.54kr
50 - 99 9.81kr 12.26kr
100 - 108 9.48kr 11.85kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 108
Set med 1

N-kanals transistor, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V - HUF75307D3S. N-kanals transistor, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.09 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-252AA ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 250pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 45 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 75307D. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 35W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 35 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: UltraFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren Harris. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 15:25.

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.