Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner
0
Produktkategori :
Audio
>
307
Automatisering
>
19
Computer
>
56
Elektriskt skydd
>
1131
Energi
>
1278
Fritidselektronik
>
528
Halvledare
>
14313
Kablar
>
1760
Kapslingar för elektronik
>
1202
Kontakter
>
5643
Kyl
>
750
Mekaniska delar
>
423
Optoelektronik
>
1955
Passiva komponenter
>
10158
Reläer
>
843
Reparation
>
921
Transformatorer
>
547
Växlar
>
926
Verktyg
>
1365
Halvledare Transistorer N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 10A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG5N120BND

N-kanals transistor, 10A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG5N120BND
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 60.30kr 75.38kr
2 - 2 57.29kr 71.61kr
3 - 4 54.27kr 67.84kr
5 - 9 51.26kr 64.08kr
10 - 19 50.05kr 62.56kr
20 - 29 48.84kr 61.05kr
30 - 79 47.03kr 58.79kr
Kvantitet U.P
1 - 1 60.30kr 75.38kr
2 - 2 57.29kr 71.61kr
3 - 4 54.27kr 67.84kr
5 - 9 51.26kr 64.08kr
10 - 19 50.05kr 62.56kr
20 - 29 48.84kr 61.05kr
30 - 79 47.03kr 58.79kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 79
Set med 1

N-kanals transistor, 10A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG5N120BND. N-kanals transistor, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Kanaltyp: N. Kollektorström: 25A. Ic(puls): 40A. Märkning på höljet: 5N120BND. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 167W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 182 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: NPT-serien IGBT transistor med anti-parallell hypersnabb diod. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.45V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 6V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.8V. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 05:25.

Teknisk dokumentation

Motsvarande produkter :

Antal i lager : 47
HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

N-kanals transistor, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Hölje: TO-247. Hölje (enlig...
HGTG10N120BND
N-kanals transistor, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Kanaltyp: N. Kollektorström: 35A. Ic(puls): 80A. Märkning på höljet: 10N120BND. Pd (effektförlust, max): 298W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 165 ns. Td(på): 23 ns. Teknik: NPT-serien IGBT transistor med anti-parallell hypersnabb diod. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.45V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 6V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.8V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 30. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS
HGTG10N120BND
N-kanals transistor, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Kanaltyp: N. Kollektorström: 35A. Ic(puls): 80A. Märkning på höljet: 10N120BND. Pd (effektförlust, max): 298W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 165 ns. Td(på): 23 ns. Teknik: NPT-serien IGBT transistor med anti-parallell hypersnabb diod. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.45V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 6V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.8V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 30. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS
Set med 1
80.96kr moms incl.
(64.77kr exkl. moms)
80.96kr

Vi rekommenderar även :

Antal i lager : 99
IRFP460

IRFP460

N-kanals transistor, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=...
IRFP460
[LONGDESCRIPTION]
IRFP460
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
87.20kr moms incl.
(69.76kr exkl. moms)
87.20kr
Antal i lager : 149
IRFP064N

IRFP064N

N-kanals transistor, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 59A. ID (T...
IRFP064N
[LONGDESCRIPTION]
IRFP064N
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
58.43kr moms incl.
(46.74kr exkl. moms)
58.43kr
Antal i lager : 1601
1N5349B

1N5349B

Pd (effektförlust, max): 5W. Hölje: DO-201. Hölje (enligt datablad): DO-201. Zenerspänning: 12V....
1N5349B
[LONGDESCRIPTION]
1N5349B
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
4.85kr moms incl.
(3.88kr exkl. moms)
4.85kr
Antal i lager : 3553
BT137-800

BT137-800

IT(RSM) (TC=85°C): 8A. Det är M: 65A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB ( SOT78 )...
BT137-800
[LONGDESCRIPTION]
BT137-800
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
14.04kr moms incl.
(11.23kr exkl. moms)
14.04kr
Antal i lager : 101
J176

J176

P-kanal transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (max): 25mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt databl...
J176
[LONGDESCRIPTION]
J176
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
8.00kr moms incl.
(6.40kr exkl. moms)
8.00kr
Antal i lager : 956
ATMEGA328P-PU

ATMEGA328P-PU

RoHS: ja. Maximal CPU-klockfrekvens: 1.8 MHz/4 MHz/10 MHz. Programlagringsminne: 32 KByte. Programmi...
ATMEGA328P-PU
[LONGDESCRIPTION]
ATMEGA328P-PU
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
88.40kr moms incl.
(70.72kr exkl. moms)
88.40kr
Antal i lager : 39
GT30J322

GT30J322

N-kanals transistor, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). H...
GT30J322
[LONGDESCRIPTION]
GT30J322
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
114.51kr moms incl.
(91.61kr exkl. moms)
114.51kr

Information och teknisk hjälp

Via telefon :
Via e-post
Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.