N-kanals transistor, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IGW75N60H3

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	151.46kr	189.33kr
2 - 2	143.89kr	179.86kr
3 - 4	140.86kr	176.08kr
5 - 9	136.32kr	170.40kr
10 - 14	133.29kr	166.61kr
15 - 19	128.75kr	160.94kr
20 - 26	124.20kr	155.25kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	151.46kr	189.33kr
2 - 2	143.89kr	179.86kr
3 - 4	140.86kr	176.08kr
5 - 9	136.32kr	170.40kr
10 - 14	133.29kr	166.61kr
15 - 19	128.75kr	160.94kr
20 - 26	124.20kr	155.25kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 26

Set med 1

N-kanals transistor, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IGW75N60H3. N-kanals transistor, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 4620pF. Kostnad): 240pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Funktion: Mycket låg VCEsat. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 140A. Ic(puls): 225A. Märkning på höljet: G75H603. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 428W. RoHS: ja. Spec info: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. Leveranstid: KB. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 265 ns. Td(på): 31 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.25V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.7V. Originalprodukt från tillverkaren Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 15:25.

Teknisk dokumentation

N-kanals transistor, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IGW75N60H3

Vi rekommenderar även :

Kylflänsar

Monteringstillbehör för transistorer

Termiskt fett

Vi rekommenderar även :