Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IGW75N60H3

N-kanals transistor, 75A,  TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IGW75N60H3
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 151.46kr 189.33kr
2 - 2 143.89kr 179.86kr
3 - 4 136.32kr 170.40kr
5 - 9 128.75kr 160.94kr
10 - 14 125.72kr 157.15kr
15 - 19 122.69kr 153.36kr
20 - 26 118.14kr 147.68kr
Kvantitet U.P
1 - 1 151.46kr 189.33kr
2 - 2 143.89kr 179.86kr
3 - 4 136.32kr 170.40kr
5 - 9 128.75kr 160.94kr
10 - 14 125.72kr 157.15kr
15 - 19 122.69kr 153.36kr
20 - 26 118.14kr 147.68kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 26
Set med 1

N-kanals transistor, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IGW75N60H3. N-kanals transistor, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 4620pF. Kostnad): 240pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Funktion: Mycket låg VCEsat. Kollektorström: 140A. Ic(puls): 225A. Märkning på höljet: G75H603. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 428W. RoHS: ja. Leveranstid: KB. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 265 ns. Td(på): 31 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.25V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 05:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.