Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IKW50N60T

N-kanals transistor, 50A,  TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IKW50N60T
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 104.33kr 130.41kr
2 - 2 99.11kr 123.89kr
3 - 4 93.90kr 117.38kr
5 - 9 88.68kr 110.85kr
10 - 19 86.59kr 108.24kr
20 - 29 84.51kr 105.64kr
30 - 54 77.45kr 96.81kr
Kvantitet U.P
1 - 1 104.33kr 130.41kr
2 - 2 99.11kr 123.89kr
3 - 4 93.90kr 117.38kr
5 - 9 88.68kr 110.85kr
10 - 19 86.59kr 108.24kr
20 - 29 84.51kr 105.64kr
30 - 54 77.45kr 96.81kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 54
Set med 1

N-kanals transistor, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IKW50N60T. N-kanals transistor, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 3140pF. Kostnad): 200pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 143 ns. Funktion: Mycket låg VCEsat. Kollektorström: 80A. Ic(puls): 150A. Märkning på höljet: K50T60. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 333W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 299 ns. Td(på): 26 ns. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.9V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 05:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.