Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 97.74kr | 122.18kr |
2 - 2 | 92.85kr | 116.06kr |
3 - 4 | 87.96kr | 109.95kr |
5 - 9 | 83.08kr | 103.85kr |
10 - 17 | 81.12kr | 101.40kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 97.74kr | 122.18kr |
2 - 2 | 92.85kr | 116.06kr |
3 - 4 | 87.96kr | 109.95kr |
5 - 9 | 83.08kr | 103.85kr |
10 - 17 | 81.12kr | 101.40kr |
N-kanals transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V - IHW30N120R2. N-kanals transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 2589pF. Kostnad): 77pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Kollektorström: 60A. Ic(puls): 90A. Märkning på höljet: H30R1202. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 390W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 792 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.8V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V. Funktion: Induktiv matlagning, mjuka växlingsapplikationer. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 05:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.