Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V - IHW30N135R5XKSA1

N-kanals transistor, 30A,  TO-247, PG-TO247-3, 1350V - IHW30N135R5XKSA1
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 85.44kr 106.80kr
2 - 2 81.17kr 101.46kr
3 - 4 78.61kr 98.26kr
5 - 9 76.90kr 96.13kr
10 - 19 75.19kr 93.99kr
20 - 29 72.63kr 90.79kr
30 - 44 70.06kr 87.58kr
Kvantitet U.P
1 - 1 85.44kr 106.80kr
2 - 2 81.17kr 101.46kr
3 - 4 78.61kr 98.26kr
5 - 9 76.90kr 96.13kr
10 - 19 75.19kr 93.99kr
20 - 29 72.63kr 90.79kr
30 - 44 70.06kr 87.58kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 44
Set med 1

N-kanals transistor, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V - IHW30N135R5XKSA1. N-kanals transistor, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): PG-TO247-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1350V. C(tum): 1810pF. Kostnad): 50pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: Induktiv matlagning, mikrovågsugnar. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 60A. Ic(puls): 90A. Märkning på höljet: H30PR5. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 330W. RoHS: ja. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 310 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.95V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V. Originalprodukt från tillverkaren Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 16:25.

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.