Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 139.34kr | 174.18kr |
2 - 2 | 132.37kr | 165.46kr |
3 - 4 | 129.58kr | 161.98kr |
5 - 9 | 125.40kr | 156.75kr |
10 - 14 | 122.62kr | 153.28kr |
15 - 19 | 118.44kr | 148.05kr |
20 - 65 | 114.26kr | 142.83kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 139.34kr | 174.18kr |
2 - 2 | 132.37kr | 165.46kr |
3 - 4 | 129.58kr | 161.98kr |
5 - 9 | 125.40kr | 156.75kr |
10 - 14 | 122.62kr | 153.28kr |
15 - 19 | 118.44kr | 148.05kr |
20 - 65 | 114.26kr | 142.83kr |
N-kanals transistor, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IKW75N60T. N-kanals transistor, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 4620pF. Kostnad): 288pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 182 ns. Funktion: Mycket låg VCEsat. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 80A. Ic(puls): 225A. Märkning på höljet: K75T60. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 428W. RoHS: ja. Spec info: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 330 ns. Td(på): 33 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.9V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.7V. Originalprodukt från tillverkaren Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 15:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.