Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 43.95kr | 54.94kr |
5 - 9 | 41.76kr | 52.20kr |
10 - 24 | 40.44kr | 50.55kr |
25 - 49 | 39.56kr | 49.45kr |
50 - 99 | 38.68kr | 48.35kr |
100 - 103 | 35.22kr | 44.03kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 43.95kr | 54.94kr |
5 - 9 | 41.76kr | 52.20kr |
10 - 24 | 40.44kr | 50.55kr |
25 - 49 | 39.56kr | 49.45kr |
50 - 99 | 38.68kr | 48.35kr |
100 - 103 | 35.22kr | 44.03kr |
N-kanals transistor, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V - IKP15N60T. N-kanals transistor, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220-3-1. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 860pF. Kostnad): 55pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Funktion: High Speed IGBT i NPT-teknik. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 15A. Ic(puls): 45A. Märkning på höljet: K15T60. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 130W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 188 ns. Td(på): 17 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.05V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.7V. Originalprodukt från tillverkaren Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 15:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.