N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V - IHW20T120

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	94.92kr	118.65kr
2 - 2	90.18kr	112.73kr
3 - 4	85.43kr	106.79kr
5 - 9	80.69kr	100.86kr
10 - 19	78.79kr	98.49kr
20 - 29	76.89kr	96.11kr
30 - 126	74.04kr	92.55kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	94.92kr	118.65kr
2 - 2	90.18kr	112.73kr
3 - 4	85.43kr	106.79kr
5 - 9	80.69kr	100.86kr
10 - 19	78.79kr	98.49kr
20 - 29	76.89kr	96.11kr
30 - 126	74.04kr	92.55kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 126

Set med 1

N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V - IHW20T120. N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 1460pF. Kostnad): 78pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: Soft Switching Applications. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 60A. Märkning på höljet: H20T120. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 178W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 560 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.2V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 05:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!