N-kanals transistor, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V - IKW25T120

N-kanals transistor, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V - IKW25T120. N-kanals transistor, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 1860pF. Kostnad): 96pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 200 ns. Funktion: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 50A. Ic(puls): 75A. Märkning på höljet: K25T120. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 190W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 560 ns. Td(på): 50 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.2V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Originalprodukt från tillverkaren Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 16:25.