Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 100.02kr | 125.03kr |
2 - 2 | 95.02kr | 118.78kr |
3 - 4 | 93.02kr | 116.28kr |
5 - 9 | 90.02kr | 112.53kr |
10 - 19 | 88.02kr | 110.03kr |
20 - 29 | 85.02kr | 106.28kr |
30 - 156 | 82.02kr | 102.53kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 100.02kr | 125.03kr |
2 - 2 | 95.02kr | 118.78kr |
3 - 4 | 93.02kr | 116.28kr |
5 - 9 | 90.02kr | 112.53kr |
10 - 19 | 88.02kr | 110.03kr |
20 - 29 | 85.02kr | 106.28kr |
30 - 156 | 82.02kr | 102.53kr |
N-kanals transistor, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IKW50N60H3. N-kanals transistor, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 116pF. Kostnad): 2960pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 130 ns. Diod tröskelspänning: 1.65V. Funktion: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 100A. Ic(puls): 200A. Märkning på höljet: K50H603. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 333W. RoHS: ja. Spec info: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 235 ns. Td(på): 23 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.3V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.7V. Originalprodukt från tillverkaren Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 16:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.