N-kanals transistor, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IPB80N06S2-08

N-kanals transistor, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IPB80N06S2-08. N-kanals transistor, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 6.5m Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 2860pF. Kostnad): 740pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 55 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 kvalificerad. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 320A. IDss (min): 0.01uA. Märkning på höljet: 2N0608. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 215W. RoHS: ja. Spec info: Ultralågt motstånd. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 32 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: MOSFET transistor. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt från tillverkaren Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 16/05/2025, 08:25.