IGBT-transistorer

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC30UD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 23A. Maximal kollektorström (A): 92A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 40 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 91 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC30U. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 23A. Maximal kollektorström (A): 92A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 40 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 91 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC40K. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 25A. Maximal kollektorström (A): 84A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 140 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC40S. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 60A. Maximal kollektorström (A): 60.4k Ohms. Inkopplingstid ton [nsec.]: 22 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 650 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC40U. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 40A. Maximal kollektorström (A): 160A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 34 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PC30FD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 31A. Maximal kollektorström (A): 60.4k Ohms. Inkopplingstid ton [nsec.]: 42 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 230 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PC30KD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 28A. Maximal kollektorström (A): 58A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 60 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 160 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PC30S. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 34A. Maximal kollektorström (A): 68A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 22 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 540 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PC30UD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 23A. Maximal kollektorström (A): 92A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 40 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 91 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PC40KD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 42A. Maximal kollektorström (A): 84A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 53 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PC40K. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 42A. Maximal kollektorström (A): 84A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 140 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PC40UD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 40A. Maximal kollektorström (A): 160A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 54 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PC40W. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 40A. Maximal kollektorström (A): 160A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 27 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 100 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PC50FD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 70A. Maximal kollektorström (A): 280A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 55 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 240 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PC50F. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 70A. Maximal kollektorström (A): 280A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 31 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 240 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PC50KD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 52A. Maximal kollektorström (A): 104A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 63 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 150 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PF50W. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 900V. Collector Current IC [A]: 51A. Maximal kollektorström (A): 204A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 29 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PH20KD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Collector Current IC [A]: 11A. Maximal kollektorström (A): 22A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 50 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 100 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6.5V. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PH40K. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Collector Current IC [A]: 30A. Maximal kollektorström (A): 60A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 200 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PH40UD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Collector Current IC [A]: 41A. Maximal kollektorström (A): 82A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 46 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 90 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. C(tum): 825pF. Kostnad): 150pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Germanium diod: ja. Kollektorström: 20A. Ic(T=100°C): 14A. obs: > 6KV ESD Gate Protection. obs: integrerade motstånd R1 G (75 Ohm), R2 GE (20k Ohm). Märkning på höljet: GB14C40L. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 8.3 ns. Td(på): 1.35 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 1.3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 2.2V

IGBT transistor. C(tum): 3025pF. Kostnad): 245pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 90A. Ic(puls): 144A. Ic(T=100°C): 48A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 330W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 165 ns. Td(på): 145 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AD ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AD. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 39N60BD1. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 76A. Maximal kollektorström (A): 152A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 25 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 500 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. C(tum): 760pF. Kostnad): 220pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Funktion: Extreme Light Punch Through, IGBT for 10-30kHz Switching. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 480A. Ic(puls): 1200A. Ic(T=100°C): 200A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1630W. RoHS: ja. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 1200A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 226 ns. Td(på): 45 ns. Teknik: XPT™ 900V IGBT, GenX4™. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Driftstemperatur: -55...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 650V. Grind/sändarspänning VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V

IGBT transistor. C(tum): 9830pF. Kostnad): 570pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Funktion: HöghastighetsIGBT för 20-50kHz växling. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 310A. Ic(puls): 840A. Ic(T=100°C): 140A. Märkning på höljet: IXYK140N90C3. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1630W. RoHS: ja. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 145 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Driftstemperatur: -55...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.15V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 900V. Grind/sändarspänning VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.5V