IGBT transistor IRG4PH20KDPBF

IGBT transistor IRG4PH20KDPBF

Kvantitet
Enhetspris
1+
104.15kr
Antal i lager: 120

IGBT transistor IRG4PH20KDPBF. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 100 ns. Collector Current IC [A]: 11A. Collector Peak Current IP [A]: 22A. Gate haverispänning Ugs [V]: 6.5V. Hölje: TO-247AC. Inkopplingstid ton [nsec.]: 50 ns. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: IRG4PH20KD. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 21:16

Teknisk dokumentation (PDF)
IRG4PH20KDPBF
16 parametrar
Antal terminaler
3
Avstängningsfördröjning tf[nsec.]
100 ns
Collector Current IC [A]
11A
Collector Peak Current IP [A]
22A
Gate haverispänning Ugs [V]
6.5V
Hölje
TO-247AC
Inkopplingstid ton [nsec.]
50 ns
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-247AC
Kollektor-emitterspänning Uce [V]
1.2 kV
Komponentfamilj
IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
60W
RoHS
ja
Tillverkarens märkning
IRG4PH20KD
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier