IGBT transistor SGW30N60HS. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 122 ns. C(tum): 1500pF. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 41A. Collector Peak Current IP [A]: 112A. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Höghastighetsomkoppling. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Hölje: TO-247. Ic(T=100°C): 30A. Ic(puls): 112A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Kanaltyp: N. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Kollektorström: 41A. Komponentfamilj: IGBT transistor. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 200pF. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.9V. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: bipolär transistor med isolerad grind (IGBT). Td(av): 106 ns. Td(på): 16 ns. Tillverkarens märkning: G30N60HS. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 10:40