IGBT transistor SGP30N60HS. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 122 ns. Collector Current IC [A]: 41A. Collector Peak Current IP [A]: 112A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Hölje: TO-220AB. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Komponentfamilj: IGBT transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: G30N60HS. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:39