IGBT transistor SGH80N60UFDTU. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 130 ns. Collector Current IC [A]: 80A. Collector Peak Current IP [A]: 220A. Gate haverispänning Ugs [V]: 6.5V. Hölje: TO-3PN. Inkopplingstid ton [nsec.]: 23 ns. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 195W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: SGH80N60UF. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi (fairchild). Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 21:16