IGBT transistor IRG4PC50FDPBF
Kvantitet
Enhetspris
1+
208.36kr
| Antal i lager: 13 |
IGBT transistor IRG4PC50FDPBF. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 240 ns. Collector Current IC [A]: 70A. Collector Peak Current IP [A]: 280A. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Hölje: TO-247AC. Inkopplingstid ton [nsec.]: 55 ns. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: IRG4PC50FD. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 21:16
IRG4PC50FDPBF
16 parametrar
Antal terminaler
3
Avstängningsfördröjning tf[nsec.]
240 ns
Collector Current IC [A]
70A
Collector Peak Current IP [A]
280A
Gate haverispänning Ugs [V]
6V
Hölje
TO-247AC
Inkopplingstid ton [nsec.]
55 ns
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-247AC
Kollektor-emitterspänning Uce [V]
600V
Komponentfamilj
IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
200W
RoHS
ja
Tillverkarens märkning
IRG4PC50FD
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier