IGBT transistor SGW25N120. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 990 ns. Collector Current IC [A]: 46A. Collector Peak Current IP [A]: 84A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Hölje: TO-247AC. Inkopplingstid ton [nsec.]: 60 ns. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Komponentfamilj: IGBT transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 313W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: SGW25N120. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 21:16