IGBT transistor IXXK200N65B4. Antal terminaler: 3. C(tum): 760pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Extreme Light Punch Through, IGBT for 10-30kHz Switching. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Grind/sändarspänning VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Hölje (enligt datablad): TO-264. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Ic(T=100°C): 200A. Ic(puls): 1200A. Kanaltyp: N. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 650V. Kollektorström: 480A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Kostnad): 220pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.7V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Pd (effektförlust, max): 1630W. RoHS: ja. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 1200A. Td(av): 226 ns. Td(på): 45 ns. Teknik: XPT™ 900V IGBT, GenX4™. Trr-diod (Min.): -. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 19:59