IGBT transistor IRGB14C40LPBF. Antal terminaler: 3. C(tum): 825pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. Germanium diod: ja. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 1.3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 2.2V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Hölje: TO-220. Ic(T=100°C): 14A. Kanaltyp: N. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Kollektorström: 20A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 150pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: GB14C40L. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.2V. Obs: integrerade motstånd R1 G (75 Ohm), R2 GE (20k Ohm). Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Td(av): 8.3 ns. Td(på): 1.35 ns. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:35