IGBT transistor IRGB14C40LPBF

IGBT transistor IRGB14C40LPBF. IGBT transistor. C(tum): 825pF. Kostnad): 150pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Germanium diod: ja. Kollektorström: 20A. Ic(T=100°C): 14A. obs: > 6KV ESD Gate Protection. obs: integrerade motstånd R1 G (75 Ohm), R2 GE (20k Ohm). Märkning på höljet: GB14C40L. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 8.3 ns. Td(på): 1.35 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 1.3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 2.2V. Originalprodukt från tillverkaren International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 25/07/2025, 15:25.