IGBT transistor IXYK140N90C3. Antal terminaler: 3. C(tum): 9830pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: HöghastighetsIGBT för 20-50kHz växling. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.5V. Grind/sändarspänning VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Hölje (enligt datablad): TO-264. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Ic(T=100°C): 140A. Ic(puls): 840A. Kanaltyp: N. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 900V. Kollektorström: 310A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Kostnad): 570pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: IXYK140N90C3. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.15V. Pd (effektförlust, max): 1630W. RoHS: ja. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. Td(av): 145 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Trr-diod (Min.): -. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 19:59