IGBT-transistorer

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3PN. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: SGH80N60UF. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 80A. Maximal kollektorström (A): 220A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 23 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 130 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6.5V. Maximal förlust Ptot [W]: 195W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: G30N60HS. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 41A. Maximal kollektorström (A): 112A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 122 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: SGW25N120. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Collector Current IC [A]: 46A. Maximal kollektorström (A): 84A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 60 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 990 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Maximal förlust Ptot [W]: 313W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: G30N60. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 41A. Maximal kollektorström (A): 112A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 53 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 389 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: G30N60HS. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 41A. Maximal kollektorström (A): 112A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 122 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: K30N60HS. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 41A. Maximal kollektorström (A): 112A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 250 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

IGBT transistor. C(tum): 2870pF. Kostnad): 295pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 45 ns. Funktion: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 70A. Ic(puls): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Märkning på höljet: GW20NC60KD. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 164 ns. Td(på): 46 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V

IGBT transistor. C(tum): 8000pF. Kostnad): 280pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 74 ns. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 80A. Ic(puls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Märkning på höljet: GW60V60DF. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 375W. RoHS: ja. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 216 ns. Td(på): 57 ns. Hölje: TO-247. Driftstemperatur: -55...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 7V