IGBT transistor STGW60V60DF. Antal terminaler: 3. C(tum): 8000pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -55...+175°C. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Hölje: TO-247. Ic(T=100°C): 60A. Ic(puls): 240A. Kanaltyp: N. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Kollektorström: 80A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Kostnad): 280pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.3V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: GW60V60DF. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Pd (effektförlust, max): 375W. RoHS: ja. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Td(av): 216 ns. Td(på): 57 ns. Trr-diod (Min.): 74 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 10:40