Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 92.19kr | 115.24kr |
2 - 2 | 87.58kr | 109.48kr |
3 - 4 | 85.74kr | 107.18kr |
5 - 9 | 82.97kr | 103.71kr |
10 - 19 | 81.13kr | 101.41kr |
20 - 21 | 78.36kr | 97.95kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 92.19kr | 115.24kr |
2 - 2 | 87.58kr | 109.48kr |
3 - 4 | 85.74kr | 107.18kr |
5 - 9 | 82.97kr | 103.71kr |
10 - 19 | 81.13kr | 101.41kr |
20 - 21 | 78.36kr | 97.95kr |
IGBT transistor STGW40NC60KD. IGBT transistor. C(tum): 2870pF. Kostnad): 295pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 45 ns. Funktion: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 70A. Ic(puls): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Märkning på höljet: GW20NC60KD. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 164 ns. Td(på): 46 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Originalprodukt från tillverkaren Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 26/07/2025, 17:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.