IGBT transistor IRG4PF50WPBF. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. C(tum): 3300pF. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 51A. Collector Peak Current IP [A]: 204A. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Hölje: TO-247. Ic(T=100°C): 28A. Ic(puls): 204A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 29 ns. Kanaltyp: N. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 900V. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 900V. Kollektorström: 51A. Komponentfamilj: IGBT transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 200pF. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.25V. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Td(av): 110 ns. Td(på): 29 ns. Tillverkarens märkning: IRG4PF50W. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:35