IGBT transistor IXGH39N60BD1. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 500 ns. Collector Current IC [A]: 76A. Collector Peak Current IP [A]: 152A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Hölje: TO-247AD. Inkopplingstid ton [nsec.]: 25 ns. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: 39N60BD1. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 21:16