Transistorer

C(tum): 6920pF. Kostnad): 600pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 36ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 670A. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Märkning på höljet: FB3207. Pd (effektförlust, max): 300W. Resistans Rds På: 3.3M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 75V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 4520pF. Kostnad): 500pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 31 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 620A. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 230W. Resistans Rds På: 3.3M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 4750pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 33 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 512A. ID (T=100°C): 90A. ID (T=25°C): 128A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 230W. Resistans Rds På: 0.0046 Ohm. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 38 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 75V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kostnad): 280pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 33 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 310A. ID (T=100°C): 56A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 140W. Resistans Rds På: 0.55 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 75V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. C(tum): 3070pF. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 800pF. Kostnad): 74pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 64 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Nyckelparametrar optimerade för klass-D-ljud. Id(imp): 51A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 80W. Resistans Rds På: 80m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 12 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: Digital Audio MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -40...+175°C. Spänning Vds(max): 150V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1200pF. Kostnad): 91pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 82 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Nyckelparametrar optimerade för klass-D-ljud. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 100W. Resistans Rds På: 80m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 16 ns. Td(på): 7.8 ns. Teknik: Digital Audio MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -40...+175°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Grind/källa spänning (av) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 9620pF. Kostnad): 670pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP-omkopplare. Id(imp): 670A. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 370W. Resistans Rds På: 3.7m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 25 ns. Td(på): 78 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Vikt: 1.99g. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kostnad): 490pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 86 ns. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 380W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 18 ns. Td(på): 41 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 150V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Vikt: 1.99g. C(tum): 5270pF. Id(imp): 420A. Resistans Rds På: 0.0093 Ohms. Funktion: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 4600pF. Kostnad): 460pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP-omkopplare. Id(imp): 260A. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (max): 1mA. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 330W. Resistans Rds På: 19.7m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 21 ns. Td(på): 33 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -40...+175°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 4530pF. Kostnad): 550pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 76 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP-omkopplare. Id(imp): 330A. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (max): 1mA. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 330W. Resistans Rds På: 12m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 24 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -40...+175°C. Spänning Vds(max): 150V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 4560pF. Kostnad): 390pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Klass-D ljudförstärkare 300W-500W (halvbrygga). Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (max): 1mA. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 330W. Resistans Rds På: 38m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -40...+175°C. Spänning Vds(max): 250V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 3430pF. Kostnad): 530pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 220 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: FB42N20D. Pd (effektförlust, max): 330W. Resistans Rds På: 0.055 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 29 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: SMPS, Högfrekventa DC-DC-omvandlare. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 4820pF. Kostnad): 340pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 220 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsströmbrytare. Id(imp): 390A. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 97A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Märkning på höljet: IRFB4410ZPBF. Pd (effektförlust, max): 230W. Resistans Rds På: 0.072 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 7670pF. Kostnad): 540pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 45 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare. Id(imp): 550A. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Märkning på höljet: IRFB4310. Pd (effektförlust, max): 300W. Resistans Rds På: 5.6M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 68 ns. Td(på): 26 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 6160pF. Kostnad): 440pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 74 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare. Id(imp): 300A. ID (T=100°C): 53A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: FB4710. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 41 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFB4710PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 45A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 35 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 41 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6160pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 2770pF. Kostnad): 590pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 140 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 230A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 51A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: FB52N15D. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 230W. Resistans Rds På: 0.032 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 28 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 150V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare, plasmaskärm. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1750pF. Kostnad): 155pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: för klass-D ljudförstärkarapplikationer. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Märkning på höljet: IRFB5615PbF. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 144W. Resistans Rds På: 0.032 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 17.2ns. Td(på): 8.9 ns. Teknik: Digital Audio MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 150V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 1000A. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 250A. Idss (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 230W. Resistans Rds På: 1.5M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 78 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V. C(tum): 7330pF. Kostnad): 1095pF. Funktion: BLDC-motordriftapplikationer, batteridrivna kretsar, DC/DC och AC/DC-omvandlare. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 250A/195A. Effekt: 230W. Resistans Rds På: 0.0015 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 40V

Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 172A/120A. Effekt: 143W. Resistans Rds På: 0.002 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 40V

C(tum): 4730pF. Kostnad): 680pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 24 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 770A. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 172A. Idss (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 143W. Resistans Rds På: 2M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 115 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V. Funktion: BLDC-motordriftapplikationer, batteridrivna kretsar, DC/DC och AC/DC-omvandlare. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 123A/120A. Effekt: 99W. Resistans Rds På: 0.0026 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 40V

C(tum): 1400pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 530 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 37A. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 170W. Resistans Rds På: 0.75 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -50...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (max): 8.5A. Pd (effektförlust, max): 167W. Resistans Rds På: 0.93 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 650V