Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 52.52kr | 65.65kr |
5 - 9 | 49.90kr | 62.38kr |
10 - 21 | 47.27kr | 59.09kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 52.52kr | 65.65kr |
5 - 9 | 49.90kr | 62.38kr |
10 - 21 | 47.27kr | 59.09kr |
IRFB42N20D. C(tum): 3430pF. Kostnad): 530pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 220 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: FB42N20D. Pd (effektförlust, max): 330W. Resistans Rds På: 0.055 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 29 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: SMPS, Högfrekventa DC-DC-omvandlare. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 20:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.