IRFB9N65A

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	44.04kr	55.05kr
5 - 9	41.84kr	52.30kr
10 - 24	39.63kr	49.54kr
25 - 36	37.43kr	46.79kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	44.04kr	55.05kr
5 - 9	41.84kr	52.30kr
10 - 24	39.63kr	49.54kr
25 - 36	37.43kr	46.79kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 36

Set med 1

IRFB9N65A. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (max): 8.5A. Pd (effektförlust, max): 167W. Resistans Rds På: 0.93 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 650V. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 20:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!