IRFB4229

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	73.38kr	91.73kr
2 - 2	69.71kr	87.14kr
3 - 4	66.04kr	82.55kr
5 - 9	62.37kr	77.96kr
10 - 19	60.90kr	76.13kr
20 - 29	59.44kr	74.30kr
30 - 105	57.23kr	71.54kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	73.38kr	91.73kr
2 - 2	69.71kr	87.14kr
3 - 4	66.04kr	82.55kr
5 - 9	62.37kr	77.96kr
10 - 19	60.90kr	76.13kr
20 - 29	59.44kr	74.30kr
30 - 105	57.23kr	71.54kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 105

Set med 1

IRFB4229. C(tum): 4560pF. Kostnad): 390pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Klass-D ljudförstärkare 300W-500W (halvbrygga). Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (max): 1mA. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 330W. Resistans Rds På: 38m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -40...+175°C. Spänning Vds(max): 250V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 02:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!