IRFB4310PBF

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	54.03kr	67.54kr
5 - 9	51.33kr	64.16kr
10 - 24	48.63kr	60.79kr
25 - 49	45.92kr	57.40kr
50 - 99	44.84kr	56.05kr
100 - 162	39.62kr	49.53kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	54.03kr	67.54kr
5 - 9	51.33kr	64.16kr
10 - 24	48.63kr	60.79kr
25 - 49	45.92kr	57.40kr
50 - 99	44.84kr	56.05kr
100 - 162	39.62kr	49.53kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 162

Set med 1

IRFB4310PBF. C(tum): 7670pF. Kostnad): 540pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 45 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare. Id(imp): 550A. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Märkning på höljet: IRFB4310. Pd (effektförlust, max): 300W. Resistans Rds På: 5.6M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 68 ns. Td(på): 26 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 20:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!