Transistorer

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: HD-1. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 4. Tillverkarens märkning: IRFD9024PBF. Drain-source spänning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.6A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -0.96A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 15 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 570pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 200pF. Kostnad): 94pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 82 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 5.6A. ID (T=100°C): 0.49A. ID (T=25°C): 0.7A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 15 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET POWWER MOSFET. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: DIP4. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 4. Tillverkarens märkning: IRFD9110PBF. Drain-source spänning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.7A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.42A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 15 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.3W. Kapsling (JEDEC-standard): 1.2 Ohms. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: FET. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. ID (T=100°C): 0.6A. ID (T=25°C): 0.1A. Idss (max): 0.1A. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Resistans Rds På: 0.6 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 100V

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: DIP4. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 4. Tillverkarens märkning: IRFD9120PBF. Drain-source spänning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 9.6 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 21 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 390pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: FET. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. ID (T=100°C): 0.34A. ID (T=25°C): 0.56A. Idss (max): 0.56A. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1W. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 200V

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: HD-1. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 4. Tillverkarens märkning: IRFD9220PBF. Drain-source spänning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.56A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -0.34A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 7.3 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 340pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFI3205PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 34A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 43 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 63W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 360pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare. Id(imp): 29A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 37W. Resistans Rds På: 0.27 Ohms. Td(av): 19 ns. Td(på): 8.8 ns. Teknik: tredje generationens effekt-MOSFET-transistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220 FULLPAK. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: ja

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFI520GPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 4.3A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 19 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 37W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 360pF

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFI530GPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.7A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 5.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.6 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 34 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 670pF. Maximal förlust Ptot [W]: 42W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFI540GPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 10A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 53 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1700pF. Maximal förlust Ptot [W]: 48W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 1400pF. Kostnad): 330pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 170 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 54W. Resistans Rds På: 0.052 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 44 ns. Td(på): 8.2 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220 FULLPAK. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 800pF. Kostnad): 240pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 170 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: IRFI630G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 39 ns. Td(på): 9.4 ns. Teknik: Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFI630GPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.9A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 9.4 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 39 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 800pF. Maximal förlust Ptot [W]: 32W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFI640GPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 5.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 45 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1300pF. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 1100pF. Kostnad): 190pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 380 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low Gate Charge. Id(imp): 23A. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. obs: Viso 2500V. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 0.55 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 25 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 400V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFI740G. Drain-source spänning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.4A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 3.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 54 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1370pF. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Kapsling (JEDEC-standard): 0.55 Ohms 40W

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Max dräneringsström: 4.6A. Resistans Rds På: 0.85 Ohm 40W. Hölje: TO-220-F. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.6A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-source spänning (Vds): 500V

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFI840GPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.6A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 2.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 55 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1300pF. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFI9540GPBF. Drain-source spänning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -6.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 24 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 51 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1400pF. Maximal förlust Ptot [W]: 48W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 4.3A. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 0.8 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 200V. Funktion: td(on) 12ns, td(off) 28ns

Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.1A. Idss (max): 4.1A. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 1 Ohm. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 250V. Funktion: td(on) 12ns, td(off) 34ns

C(tum): 350pF. Kostnad): 48pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 290ms. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 6A. ID (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. Resistans Rds På: 4.4 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 660pF. Kostnad): 86pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 2.2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 35 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: Switching. G-S Skydd: NINCS