IRFD9110

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	10.96kr	13.70kr
5 - 9	10.42kr	13.03kr
10 - 24	9.87kr	12.34kr
25 - 49	9.32kr	11.65kr
50 - 81	9.10kr	11.38kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	10.96kr	13.70kr
5 - 9	10.42kr	13.03kr
10 - 24	9.87kr	12.34kr
25 - 49	9.32kr	11.65kr
50 - 81	9.10kr	11.38kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 81

Set med 1

IRFD9110. C(tum): 200pF. Kostnad): 94pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 82 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 5.6A. ID (T=100°C): 0.49A. ID (T=25°C): 0.7A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 15 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET POWWER MOSFET. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 17:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!