Transistorer

C(tum): 5600pF. Kostnad): 1310pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 640A. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 310W. Resistans Rds På: 0.0042 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 140 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Effekt: 310W. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PowerMOSFET. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 31A. Pd (effektförlust, max): 131W. Resistans Rds På: 0.51 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 100V

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PowerMOSFET. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 140W. Resistans Rds På: 0.052 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 44 ns. Td(på): 8.2 ns. Teknik: HEXFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2800pF. Kostnad): 1100pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 220 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 29A. ID (T=25°C): 41A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: IRFP150. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 230W. Resistans Rds På: 0.55 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1900pF. Kostnad): 450pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 180 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 160W. Resistans Rds På: 0.36 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP150NPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 45 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1900pF. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP150PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 60 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2800pF. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 3450pF. Kostnad): 513pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: SMPS MOSFET. Id(imp): 88A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 22A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 277W. Resistans Rds På: 0.23 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 47 ns. Td(på): 26 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1300pF. Kostnad): 400pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Vikt: 4.6g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: komplementär transistor (par) IRFP9240. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Hölje: TO-247AC. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP240PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 12A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 45 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1300pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 20A. Effekt: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Drain-source spänning (Vds): 200V

C(tum): 2159pF. Kostnad): 315pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 186 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 214W. Resistans Rds På: 0.075 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 41 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

Hölje: TO-247AC. Tillverkarens märkning: IRFP250NPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 18A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 41 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2159pF. Maximal förlust Ptot [W]: 214W. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 30A. Effekt: 214W. Resistans Rds På: 0.075 Ohms. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Drain-source spänning (Vds): 200V

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP250PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 18A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 70 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2800pF. Maximal förlust Ptot [W]: 190W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP254PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 14A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 74 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2700pF. Maximal förlust Ptot [W]: 190W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 4057pF. Kostnad): 603pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 268 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: dynamiskt dv/dt-förhållande, snabb växling. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. Resistans Rds På: 0.04 Ohms. RoHS: ja. Vikt: 5.57g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP260NPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 28A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 17 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 55 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4057pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Kapsling (JEDEC-standard): 280W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP260PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 46A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 28A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 23 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 100 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 280W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 5400pF. Kostnad): 870pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 410 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 150A. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 38A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 280W. Resistans Rds På: 0.075 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 250V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: snabb växling, dynamisk dv/dt. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 4660pF. Kostnad): 460pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 620 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 50uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 500W. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 27 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 13000pF. Kostnad): 2100pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 140 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 870A. ID (T=100°C): 148A. ID (T=25°C): 209A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 470W. Resistans Rds På: 3.6m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 23 ns. Teknik: HEXFET ® Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 75V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP2907PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 125A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 23 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 130 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 13000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 470W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP2907ZPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 90A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 19 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 97 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 7500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 310W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 8970pF. Kostnad): 1020pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 1080A. ID (T=100°C): 190A. ID (T=25°C): 270A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 375W. Resistans Rds På: 2.1M Ohms. RoHS: ja. Vikt: 4.58g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 118 ns. Td(på): 16 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 5000pF. Kostnad): 553pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 170 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 124A. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 2mA. IDss (min): 50uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 460W. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 54 ns. Td(på): 28 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 6540pF. Kostnad): 720pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 33 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsströmbrytare. Id(imp): 840A. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 280W. Resistans Rds På: 2.4M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS