Transistorer

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP3415PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 150V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 43A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ 22A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 72 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2400pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 2600pF. Kostnad): 660pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 190W. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 87 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -50...+150°C. Spänning Vds(max): 400V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP350PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 19A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 9.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 87 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2600pF. Maximal förlust Ptot [W]: 190W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 4500pF. Kostnad): 1100pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 420 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 92A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 280W. Resistans Rds På: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 400V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 3400pF. Kostnad): 540pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 91A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 280W. Resistans Rds På: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 42 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 400V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

Tillverkarens märkning: IRFP360PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 14A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 18 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 100 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 280W. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 23A. Effekt: 280W. Resistans Rds På: 0.20 Ohms. Hölje: TO-247AC HV. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Drain-source spänning (Vds): 400V

C(tum): 3000pF. Kostnad): 640pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 210 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 200W. Resistans Rds På: 0.026 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 58 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: FastSwitch. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 51A. Idss (max): 51A. Pd (effektförlust, max): 180W. Resistans Rds På: 0.023 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 100V

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP3710PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 28A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 58 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Kapsling (JEDEC-standard): 180W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 4600pF. Kostnad): 460pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP MOSFET. Id(imp): 260A. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (max): 1mA. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 330W. Resistans Rds På: 0.021 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 21 ns. Td(på): 33 ns. Teknik: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -40...+175°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 4560pF. Kostnad): 390pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 1mA. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 310W. Resistans Rds På: 0.038 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 25 ns. Td(på): 44 ns. Teknik: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -40...+175°C. Spänning Vds(max): 250V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Vikt: 5.8g. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 7370pF. Kostnad): 520pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 190A. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (max): 150uA. IDss (min): 5uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 430W. Resistans Rds På: 0.049 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -40...+175°C. Spänning Vds(max): 300V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Idm--190Ap.. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 5860pF. Kostnad): 530pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP-omkopplare. Id(imp): 230A. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 1mA. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 360W. Resistans Rds På: 0.029 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power-MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -40...+175°C. Spänning Vds(max): 250V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Idm--230Ap. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP4468PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 195A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0026 Ohms @ 180A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 52 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 160 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 19860pF. Maximal förlust Ptot [W]: 520W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 2600pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 540 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 190W. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 92us. Td(på): 17us. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2200pF. Kostnad): 320pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 580us. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra low Gate Charger. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 8.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 190W. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP450LCPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 190W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP450PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 17 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 92 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2600pF. Maximal förlust Ptot [W]: 190W. Kapsling (JEDEC-standard): 180W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 10470pF. Kostnad): 977pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 110 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 171A. ID (T=100°C): 121A. ID (T=25°C): 694A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 517W. Resistans Rds På: 0.0048 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 47 ns. Td(på): 27 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 150V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 4200pF. Kostnad): 870pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 280W. Resistans Rds På: 0.27 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Hölje: TO-247. C(tum): 3100pF. Kostnad): 480pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 480 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 280W. Resistans Rds På: 0.27 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kostnad): 152pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 437ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 62A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 278W. Resistans Rds På: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 117 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: D Series Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. C(tum): 3940pF. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 3600pF. Kostnad): 440pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 280W. Resistans Rds På: 0.27 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: snabb växling, ultralåg grindladdning. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP460LCPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 18 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 40 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 280W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3600pF

Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP460PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 18 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 280W. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 20A. Effekt: 250W. Hölje: TOP-3 (TO-247). Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Drain-source spänning (Vds): 500V