Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 57.71kr | 72.14kr |
5 - 9 | 54.83kr | 68.54kr |
10 - 18 | 51.94kr | 64.93kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 57.71kr | 72.14kr |
5 - 9 | 54.83kr | 68.54kr |
10 - 18 | 51.94kr | 64.93kr |
IRFP4229PBF. C(tum): 4560pF. Kostnad): 390pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 1mA. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 310W. Resistans Rds På: 0.038 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 25 ns. Td(på): 44 ns. Teknik: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -40...+175°C. Spänning Vds(max): 250V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Vikt: 5.8g. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 13:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.