Transistorer

C(tum): 1300pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 470ms. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFIBF30GPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 90 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Resistans Rds På: 0.024 Ohms. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 31A. Pd (effektförlust, max): 45W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 55V

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FL014N. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 1.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 6.6 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 12 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 190pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FA. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 13 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 300pF. Maximal förlust Ptot [W]: 3.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 400pF. Kostnad): 145pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 35 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 11.2A. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 2.8A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Ekvivalenta: IRFL024NPBF. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 2.1W. Resistans Rds På: 0.075 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 22.2 ns. Td(på): 8.1 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FL024N. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.8A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 2.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.1 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 22 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 400pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 0.96A. ID (T=25°C): 1.5A. Idss (max): 1.5A. obs: b47kaa. Pd (effektförlust, max): 3.1W. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 100V

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FL110. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 6.9ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 15 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 180pF. Maximal förlust Ptot [W]: 3.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 140pF. Kostnad): 53pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 7.7A. ID (T=100°C): 0.6A. ID (T=25°C): 0.96A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. obs: screentryck/SMD-kod FC. Märkning på höljet: FC. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 3.1W. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 14 ns. Td(på): 8.2 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FC. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.96A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 0.58A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.2 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 14 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 140pF. Maximal förlust Ptot [W]: 3.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. C(tum): 660pF. Kostnad): 230pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 55 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. IGF: 660pF. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 2.1W. Resistans Rds På: 0.045 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 19 ns. Td(på): 7.1 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FL4310. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.6A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7.8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 34 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 330pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FE. Drain-source spänning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -1.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 9.6 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 270pF. Maximal förlust Ptot [W]: 3.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 200pF. Kostnad): 94pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 8.8A. ID (T=100°C): 0.69A. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (effektförlust, max): 3.1W. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FF. Drain-source spänning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.1A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.66A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 15 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 3.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP044N. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 53A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 43 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 120W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Kapsling (JEDEC-standard): 1. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 55V

C(tum): 2400pF. Kostnad): 1300pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 120ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PowerMOSFET. Id(imp): 290A. ID (T=100°C): 52A. ID (T=25°C): 70A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 190W. Resistans Rds På: 0.018 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 210 ns. Td(på): 8.1 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1900pF. Kostnad): 620pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 94 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 210A. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 64A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 140W. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 32 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET ® Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 4500pF. Kostnad): 2000pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 270 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 360A. ID (T=100°C): 64A. ID (T=25°C): 70A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 230W. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 83 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2900pF. Kostnad): 880pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 81 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 290A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 81A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 170W. Resistans Rds På: 0.012 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 4000pF. Kostnad): 1300pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 110 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 390A. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP064NPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 43 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Kapsling (JEDEC-standard): 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP064PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 78A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 21 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 7400pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 1700pF. Kostnad): 550pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 180 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. obs: komplementär transistor (par) IRFP9140. Pd (effektförlust, max): 180W. Resistans Rds På: 0.077 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 53 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Effekt: 180W. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS