Transistorer

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 520A. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss: 0.1mA. Idss (max): 130A. Pd (effektförlust, max): 520W. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 200V

C(tum): 6160pF. Kostnad): 440pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Power-MOSFET. Id(imp): 300A. ID (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 72A. Idss: 250uA. Idss (max): 72A. IDss (min): 0.1uA. Pd (effektförlust, max): 190W. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. Td(av): 41 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Grind/källa spänning (av) min.: 3.5V. Vgs(th) max.: 5.5V. obs: Hög frekvens. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Hölje: TO-247AC. Tillverkarens märkning: IRFP4710PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 72A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 45A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 35 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 41 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6160pF. Maximal förlust Ptot [W]: 190W. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 72A. Effekt: 190W. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Drain-source spänning (Vds): 100V

C(tum): 1070pF. Kostnad): 6040pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare. Id(imp): 380A. ID (T=100°C): 66A. ID (T=25°C): 94A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 580W. Resistans Rds På: 0.023 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 23 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP90N20DPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 94A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 56A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 23 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 43 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 640pF. Maximal förlust Ptot [W]: 580W. Kapsling (JEDEC-standard): 580W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 1300pF. Kostnad): 400pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250mA. IDss (min): 25mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 140W. Resistans Rds På: 0.117 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 51 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP9140NPBF. Drain-source spänning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -13A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 51 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1300pF. Maximal förlust Ptot [W]: 140W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP9140PBF. Drain-source spänning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -21A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -13A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 34 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1400pF. Maximal förlust Ptot [W]: 180W. Kapsling (JEDEC-standard): 180W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 1200pF. Kostnad): 370pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 0.57 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 39 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: komplementär transistor (par) IRFP240. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP9240PBF. Drain-source spänning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -7.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 39 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Kapsling (JEDEC-standard): 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 2700pF. Kostnad): 300pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 180W. Resistans Rds På: 0.6 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 88 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2100pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA-. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 180W. Resistans Rds På: 0.58 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 33 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFPC50PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 18 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 88 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2700pF. Maximal förlust Ptot [W]: 180W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 3900pF. Kostnad): 440pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 610 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 64A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (effektförlust, max): 280W. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1900pF. Kostnad): 470pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 22A. ID (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 5.4A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: snabbväxling, ORION TV. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFPE40PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.4A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 3.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 100 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1900pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 3100pF. Kostnad): 800pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 650 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 31A. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 7.8A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 190W. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 120ns. Td(på): 19 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 7.8A. Effekt: 190W. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-247AC HV. Drain-source spänning (Vds): 800V

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: <63/214ns. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (max): 4.7A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS L. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 900V

C(tum): 2900pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 610 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.7A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 190W. Resistans Rds På: 1.6 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFPF50PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.7A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.6 Ohms @ 4A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 130 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2900pF. Maximal förlust Ptot [W]: 190W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 2800pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 630 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.1A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (effektförlust, max): 190W. Resistans Rds På: 2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 1000V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 6.1A. Effekt: 190W. Hölje: TO-247AC. Resistans Rds På: 2 Ohms. Drain-source spänning (Vds): 1000V

C(tum): 5579pF. Kostnad): 810pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 570 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 144A. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 180W. Resistans Rds På: 0.13 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 52 ns. Td(på): 23 ns. Teknik: Power MOSFET. Hölje: 17.4k Ohms. Hölje (enligt datablad): SUPER247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: 17.4k Ohms. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFPS37N50APBF. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 22A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 23 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 52 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5580pF. Maximal förlust Ptot [W]: 446W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C