IRFP90N20DPBF

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	66.28kr	82.85kr
2 - 2	62.96kr	78.70kr
3 - 4	59.65kr	74.56kr
5 - 9	56.34kr	70.43kr
10 - 19	55.01kr	68.76kr
20 - 29	56.08kr	70.10kr
30 - 63	68.58kr	85.73kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	66.28kr	82.85kr
2 - 2	62.96kr	78.70kr
3 - 4	59.65kr	74.56kr
5 - 9	56.34kr	70.43kr
10 - 19	55.01kr	68.76kr
20 - 29	56.08kr	70.10kr
30 - 63	68.58kr	85.73kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 63

Set med 1

IRFP90N20DPBF. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP90N20DPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 94A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 56A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 23 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 43 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 640pF. Maximal förlust Ptot [W]: 580W. Kapsling (JEDEC-standard): 580W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 10:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!