IRFP27N60KPBF

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	104.76kr	130.95kr
2 - 2	99.52kr	124.40kr
3 - 4	94.28kr	117.85kr
5 - 9	89.04kr	111.30kr
10 - 19	86.95kr	108.69kr
20 - 20	84.85kr	106.06kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	104.76kr	130.95kr
2 - 2	99.52kr	124.40kr
3 - 4	94.28kr	117.85kr
5 - 9	89.04kr	111.30kr
10 - 19	86.95kr	108.69kr
20 - 20	84.85kr	106.06kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 20

Set med 1

IRFP27N60KPBF. C(tum): 4660pF. Kostnad): 460pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 620 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 50uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 500W. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 43 ns. Td(på): 27 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!