Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 19.39kr | 24.24kr |
5 - 9 | 18.42kr | 23.03kr |
10 - 24 | 17.45kr | 21.81kr |
25 - 43 | 16.48kr | 20.60kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 19.39kr | 24.24kr |
5 - 9 | 18.42kr | 23.03kr |
10 - 24 | 17.45kr | 21.81kr |
25 - 43 | 16.48kr | 20.60kr |
IRFI630G. C(tum): 800pF. Kostnad): 240pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 170 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: IRFI630G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 39 ns. Td(på): 9.4 ns. Teknik: Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.