IRFB52N15D

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	44.63kr	55.79kr
5 - 9	42.40kr	53.00kr
10 - 24	40.17kr	50.21kr
25 - 38	37.94kr	47.43kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	44.63kr	55.79kr
5 - 9	42.40kr	53.00kr
10 - 24	40.17kr	50.21kr
25 - 38	37.94kr	47.43kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 38

Set med 1

IRFB52N15D. C(tum): 2770pF. Kostnad): 590pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 140 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 230A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 51A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: FB52N15D. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 230W. Resistans Rds På: 0.032 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 28 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 150V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare, plasmaskärm. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 20:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!