Transistorer

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF9620PBF. Drain-source spänning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -1.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 20 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 350pF. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: P. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 3A. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 2.4 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1

C(tum): 700pF. Kostnad): 200pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 200 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (effektförlust, max): 74W. Resistans Rds På: 0.8 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 28 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: P. Max dräneringsström: 6.5A. Effekt: 75W. Resistans Rds På: 0.8 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): -200V

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF9630PBF. Drain-source spänning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ -3.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 28 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 700pF. Maximal förlust Ptot [W]: 74W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 1200pF. Kostnad): 370pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (effektförlust, max): 125W. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 39 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Effekt: 125W. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Hölje: TO-220AB. Tillverkarens märkning: IRF9640PBF. Drain-source spänning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 39 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: P. Max dräneringsström: 11A. Effekt: 125W. Resistans Rds På: 0.5 Ohms. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Drain-source spänning (Vds): -200V

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F9640S. Drain-source spänning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 39 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F9952. Drain-source spänning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms/025 Ohms @ 2.2/-1A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 26/40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 190/190pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F9952Q. Drain-source spänning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms/0.4 Ohms @ 1/-0.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 26/40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 190/190pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F9953. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 9.7 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 20 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 190pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 350pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 47 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 45W. Resistans Rds På: 0.175 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 23 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 620pF. Kostnad): 280pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 54ms. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 68W. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Hölje: TO-220AB. Tillverkarens märkning: IRF9Z34NPBF. Drain-source spänning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 620pF. Maximal förlust Ptot [W]: 68W. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: P. Max dräneringsström: 17A. Effekt: 56W. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Drain-source spänning (Vds): -55V

C(tum): 620pF. Kostnad): 280pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 54ms. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 68W. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F9Z34NS. Drain-source spänning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 620pF. Maximal förlust Ptot [W]: 68W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 1423pF. Kostnad): 208pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 510 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 170W. Resistans Rds På: 0.52 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 32 ns. Td(på): 14 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb switch, Låg grindladdning 52nC. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2830pF. Kostnad): 3310pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 520 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 50uA. Pd (effektförlust, max): 220W. Resistans Rds På: 0.26 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2870pF. Kostnad): 3480pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 520 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 50uA. Pd (effektförlust, max): 280W. Resistans Rds På: 0.21 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1200pF. Kostnad): 260pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare. Id(imp): 92A. ID (T=100°C): 17A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: B23N15D. Pd (effektförlust, max): 136W. Resistans Rds På: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 18 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 150V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 4220pF. Kostnad): 580pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 240 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 56A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: FB260N. Pd (effektförlust, max): 380W. Resistans Rds På: 0.04 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 52 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: SMPS, Högfrekventa DC-DC-omvandlare. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 8970pF. Kostnad): 1020pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 44 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 1080A. ID (T=100°C): 190A. ID (T=25°C): 270A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 375W. Resistans Rds På: 0.0021 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 118 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 9400pF. Kostnad): 820pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 42 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 850A. ID (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 370W. Resistans Rds På: 0.0028 Ohm. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 69 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 75V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 6540pF. Kostnad): 720pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 33 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 840A. ID (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 300W. Resistans Rds På: 2.4M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 6920pF. Kostnad): 600pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 36ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högeffektiv synkron likriktning vid byte av strömförsörjning. Id(imp): 670A. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 300W. Resistans Rds På: 3.3M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 75V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS