Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 2 | 32.40kr | 40.50kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 2 | 32.40kr | 40.50kr |
IRFB23N15D. C(tum): 1200pF. Kostnad): 260pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare. Id(imp): 92A. ID (T=100°C): 17A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: B23N15D. Pd (effektförlust, max): 136W. Resistans Rds På: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 18 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 150V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 17/01/2025, 00:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.