Transistorer

C(tum): 1210pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 24 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultralåg grindimpedans. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 11 ns. Td(på): 8.7 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 95. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1700pF. Kostnad): 890pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 56 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 45A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.02 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 59 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Vgs(th) max.: 2.04V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7416. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -10A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -5.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2.04V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 18 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 59 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1700pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7424. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0035 Ohms @ -11A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2.04V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 150 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4030pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 7980pF. Kostnad): 1480pF. Kanaltyp: P. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.082 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 230 ns. Td(på): 13 ns. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 20V. Port-/källspänning Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 1.2V. Vgs(th) min.: 0.45V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 3480pF. Kostnad): 870pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 64 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: SMPS MOSFET, High Frequency DC-DC Converters. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.006 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 51 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: V-MOS. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -50...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7455. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 15A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0075 Ohms @ 15A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 17 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 51 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3480pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7468. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.4A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0015 Ohms @ 9.4A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7.6 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 20 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2460pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: integrerad krets för DC-DC-omvandlare. Id(imp): 66A. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (max): 150uA. IDss (min): 30uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.017 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 25 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 1V. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: integrerad krets för DC-DC-omvandlare. Id(imp): 66A. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.017 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 11 ns. Td(på): 6.3 ns. Teknik: Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 770pF. Kostnad): 190pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 31us. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: integrerad krets för DC-DC-omvandlare. Id(imp): 88A. ID (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 10 ns. Td(på): 6.9ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7811. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10.8A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 15A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.6 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 43 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1801pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7821. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13.6A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0091 Ohms @ 13A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 6.3 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 9.7 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1010pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +155°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7831. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 21A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0036 Ohms @ 20A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.35V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 18 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 17 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6240pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 4310pF. Kostnad): 990pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 41us. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.031 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 10 ns. Td(på): 21 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.32V. Vgs(th) min.: 1.39V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 3850pF. Kostnad): 480pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 90 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 260W. Resistans Rds På: 12m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 61 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 3850pF. Kostnad): 480pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 99 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 260W. Resistans Rds På: 12m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 61 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS

Kostnad): 92pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 260 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 3 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 33 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. C(tum): 360pF. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF820PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 33 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 80W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 360pF

C(tum): 610pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 320 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 74W. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 42 ns. Td(på): 8.2 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 620 ns. Kostnad): 93 ns. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 430 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Temperatur: +105°C. Pd (effektförlust, max): 74W. Resistans Rds På: 1.4 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 21 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF830PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2.7A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.2 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 42 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 610pF. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Kapsling (JEDEC-standard): 74W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 1300pF. Kostnad): 310pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 460 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 125W. Resistans Rds På: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 49 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1018pF. Kostnad): 155pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 422 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 125W. Resistans Rds På: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 26 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF840APBF. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 26 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1018pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C