Transistorer

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7313. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.5A/6.5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 39 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 650pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7313. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.5A/6.5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 39 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 650pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Funktion: P-kanal MOSFET transistor. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7314. Drain-source spänning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.058 Ohms @ -2.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: -1.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 22 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 63 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 780pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: IDM--30Ap

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7316. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.9A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.098 Ohms @ -3.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 19 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 51 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 710pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 780pF. Kostnad): 430pF. Kanaltyp: N-P. Trr-diod (Min.): 47 ns. Funktion: 0.029R & 0.58R. Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: N&P-HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7317. Drain-source spänning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A / -5.3A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 6/-2.9A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12/22 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 57/63 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 900/780pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N-P. Märkning på höljet: F7319. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: N&P-HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. obs: ( = P23AF 4532 SMD ). obs: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms

Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 6.4A. ID (T=25°C): 8A. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. Resistans Rds På: 0.017 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Typ av transistor: PNP & PNP. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 2. Funktion: Dubbel P-kanals Mosfet transistor, Ultralågt RDS-motstånd

Kanaltyp: N. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Konditioneringsenhet: 95. Funktion: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns

Kanaltyp: P. Ekvivalenta: IRF7342PBF. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: IDM--27Ap

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7342. Drain-source spänning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 22 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 64 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 690pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7342. Drain-source spänning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 22 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 64 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 690pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N-P. Funktion: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7343. Drain-source spänning Uds [V]: 55V/-55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.7A/-3.4A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12/22 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 48/64 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 740/690pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7343. Drain-source spänning Uds [V]: 55V/-55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.7A/-3.4A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12/22 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 48/64 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 740/690pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N-P. Funktion: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Spec info: 0.029 Ohms & 0.058 Ohms

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7389. Drain-source spänning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.9A/-4.2A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 5.8/-4.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.1 ns/13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 26/34 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 650/710pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.6W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 1400pF. Kostnad): 330pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 370 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: MOSFET-transistor med snabb omkoppling. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 125W. Resistans Rds På: 0.55 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: V-MOS. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 400V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Grind/källa spänning (av) max.: 4 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF740LC. Drain-source spänning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1100pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF740PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 50 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1400pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 10A. Effekt: 125W. Hölje: TO-220. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Drain-source spänning (Vds): 400V

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF740SPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 50 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1400pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 1600pF. Kostnad): 680pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 74 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 58A. ID (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 25uA. IDss (min): 12uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 52 ns. Td(på): 8.6 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7413. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 7.3A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.6 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 52 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1800pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C