Transistorer

C(tum): 170pF. Kostnad): 34pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 240 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 6A. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 36W. Resistans Rds På: 3.6 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 12 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 400V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Funktion: 2xN-CH 20V, Fast Switching. Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7101. Drain-source spänning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 24 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 320pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Funktion: 2xN-CH 50V. ID (T=25°C): 3A. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 50V. Antal per fodral: 2. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7103. Drain-source spänning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 3A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 70 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 290pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Funktion: 2xP-CH 20V. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Tillverkarens märkning: F7104. Drain-source spänning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 40 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 90 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 290pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Antal per fodral: 2. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Hölje: TO-220AB. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF710PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.6 Ohms @ 1.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 21 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 170pF. Maximal förlust Ptot [W]: 36W. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 2A. Resistans Rds På: 3.6 Ohms. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Drain-source spänning (Vds): 400V

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7201. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ 7.3A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 21 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 550pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7204. Drain-source spänning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ -5.3A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 150 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 860pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 870pF. Kostnad): 720pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 15A. ID (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 4.6A. Idss (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 97 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF720PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 410pF. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7233. Drain-source spänning Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: -1.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 26 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 77 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.6W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7233. Drain-source spänning Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -9.5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: -1.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 26 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 77 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 700pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 270 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 22A. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 75W. Resistans Rds På: 1 Ohm. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 38 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 400V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7301. Drain-source spänning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A/4.1A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.6A/2.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 9 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 32 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 660pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: 0.05R. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 4.9A. Idss (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: N&N-HEXFET Power MOSFETFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 2

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7303. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.9A/4.9A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.4A/2.4A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 6.8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 22 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 520pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Funktion: P-kanal MOSFET transistor. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7304. Drain-source spänning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ -2.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: -1.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.4 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 51 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 610pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7306. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ -1.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 440pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N-P. Funktion: 0.05R & 0.1R. ID (T=25°C): 4.7A & 3.5A. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1.4W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 2

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7309. Drain-source spänning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A/-3A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.1 Ohms @ 2.4/-1.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 6.8/11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 22/25 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 520/440pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.4W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF730PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 3.3A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 38 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 700pF. Maximal förlust Ptot [W]: 74W. Kapsling (JEDEC-standard): 75W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Funktion: N MOSFET transistor. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2

Funktion: N MOSFET transistor. Ekvivalenta: IRF7313PBF. Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2