Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 10.81kr | 13.51kr |
5 - 9 | 10.27kr | 12.84kr |
10 - 24 | 8.44kr | 10.55kr |
25 - 49 | 8.25kr | 10.31kr |
50 - 99 | 7.18kr | 8.98kr |
100 - 249 | 6.94kr | 8.68kr |
250 - 1876 | 6.17kr | 7.71kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 10.81kr | 13.51kr |
5 - 9 | 10.27kr | 12.84kr |
10 - 24 | 8.44kr | 10.55kr |
25 - 49 | 8.25kr | 10.31kr |
50 - 99 | 7.18kr | 8.98kr |
100 - 249 | 6.94kr | 8.68kr |
250 - 1876 | 6.17kr | 7.71kr |
N-kanals transistor, 55V, SO8 - IRF7341. N-kanals transistor, 55V, SO8. Vdss (Drain to Source Voltage): 55V. Hölje: SO8. Pd (effektförlust, max): 2W. Serie: HEXFET. Polaritet: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 4.7A. Körspänning: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns. Rds on (max) @ id, vgs: 8. Vgs (th) (max) @ id: 2W. QG (Total Gate Charge, Max @ VGS): ja. Grind/källa spänning Vgs max: -20V. Driftstemperatur: SO. Monteringstyp: SMD. Originalprodukt från tillverkaren International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 27/07/2025, 02:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.